關(guān)于熔斷器的允許操作過電壓的國家標(biāo)準(zhǔn)，是最大允許值。實(shí)際產(chǎn)品往往小于上述標(biāo)準(zhǔn)。南京螺旋式熔斷器真空接觸器滅弧特性及操作過電壓分析，真空接觸器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和滅弧特性。真空接觸器與真空斷路器非常相似，兩者就其結(jié)構(gòu)而言基本相同，合閘與分閘時(shí)間也大致相同真空接觸器與真空斷路器比較，滅弧室方面存在一些小的差別，其是斷路器滅弧室內(nèi)設(shè)屏蔽罩，接觸器則可以取消屏蔽罩；其二是斷路器觸頭為圓柱體，端面上徑向開有斜槽，滅弧過程形成旋轉(zhuǎn)電弧，接觸器的觸頭雖然也是圓柱體，但端面上一般沒有徑向斜槽；其三是觸頭開距不同，斷路器觸頭開距稍大真空斷路器與真空接觸器分合閘時(shí)間雖然大致相同，但它們的觸頭間開距不同，接觸器略小，所以接觸器的分合閘速度實(shí)際上低于斷路器。定制螺旋式熔斷器但就分閘的絕對速度來分析，實(shí)際上速率并不低。因此真空接觸器雖然在滅弧室的結(jié)構(gòu)上與斷路器比較有微小差異，但它們的滅弧原理是相同的，這一點(diǎn)對分析操作過電壓的特性十分重要。F-C回路的過電壓分析，試驗(yàn)在一系列6kV中、小容量電動(dòng)機(jī)群展開，證明切斷電動(dòng)機(jī)起動(dòng)電流的過程中，發(fā)生重燃的幾率較高，而且觸頭打開與電流自然過零的時(shí)間間隔小于1ms。

擴(kuò)散是弧柱內(nèi)自由電子、正離子逸出弧柱以外，到周圍冷介質(zhì)中去的過程。擴(kuò)散是由于帶電質(zhì)點(diǎn)的不規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)，以及空間電荷的分布不均勻，使電弧中的高溫離子由密集的空間向密度小，溫度低的方向擴(kuò)散。定制螺旋式熔斷器電弧和周圍介質(zhì)的溫度差以及離子濃度差越大擴(kuò)散作用也越強(qiáng)。擴(kuò)散出來的離子，因冷卻而相互結(jié)合，成為中性質(zhì)點(diǎn)顯然，如果游離過程大于去游離過程，電弧將繼續(xù)燃燒，并越燒越旺，如果去游離過程大于游離過程，電弧便越來越小，最后電弧將熄滅。由此分析，熄滅電弧的基本方法是設(shè)法冷卻電弧，設(shè)法加強(qiáng)復(fù)合和擴(kuò)散形成的去游離過程。高壓限流熔斷器熄滅電弧的基本原理，就是當(dāng)熔體元件熔化而出現(xiàn)電弧后，迫使電弧深入到周圍填料石英砂構(gòu)成的縫隙中去，根據(jù)狹縫滅弧原理，電弧與石英砂緊密接觸，使電弧急劇冷卻，從而迫使電流急劇下降到零。當(dāng)預(yù)期電流非常大，熔體元件熔化、蒸發(fā)、出現(xiàn)間隙及電弧時(shí)，這一過程在非常短的時(shí)間之內(nèi)就已經(jīng)完成，熔體元件在來不及向周圍填料石英砂傳熱的情況下，就已經(jīng)熔斷并形成電弧。

經(jīng)試算，如果截流值達(dá)10A時(shí)，振蕩電壓幅值將達(dá)到7kV，約為兩倍以下相對地電壓。電弧重燃過電壓。高頻電弧重燃過電壓發(fā)生的幾率較高，過電壓幅值也很高。定制螺旋式熔斷器有相關(guān)試驗(yàn)表明，針對6kV系統(tǒng)，捕捉并記錄到的過電壓高達(dá)18.2kV（有效值），如果回路等值電感、電容匹配，理論上講，更高的過電壓也可能發(fā)生，只不過彼時(shí)電動(dòng)機(jī)的絕緣已損壞，難以捕捉而已。分析高頻重燃過電壓。蘇熔電器可以分析出，負(fù)載側(cè)過電壓峰值由兩部分組成，第一項(xiàng)與負(fù)荷側(cè)等值電感中的電流有關(guān)，代表了負(fù)載側(cè)的磁場能量，第二項(xiàng)相當(dāng)于第一次高頻重燃電弧過零熄滅后負(fù)載側(cè)等值電容上的電壓，代表了負(fù)載側(cè)的電場能量。定制螺旋式熔斷器第一次高頻重燃電弧過零熄滅后，接觸器觸頭之間的恢復(fù)電壓將提高，在觸頭間隙還沒有達(dá)到安全開距的前提下，更容易發(fā)生第二次第三次重燃，即極間去游離過程還沒有建立足夠的介電強(qiáng)度，則更容易發(fā)生第二次第三次重燃。所以一定的滅弧時(shí)間即觸頭分離和下一次電流過零這一特定的時(shí)間間隔是必要的。

當(dāng)真空接觸器額定短路開斷電流為4kA時(shí)，綜合保護(hù)裝置的過流閉鎖電流為3.3kA。但是，南京螺旋式熔斷器為防止測量TA飽和、導(dǎo)致保護(hù)裝置大電流閉鎖出口失效，回路配置TA的變比不能太小，以保證閉鎖電流的整定值小于TA的飽和電流。當(dāng)保護(hù)裝置沒有大電流閉鎖功能時(shí)，若高壓熔斷器熔斷電流小于高壓接觸器允許斷開電流，則電流速斷保護(hù)不必退出，若高壓熔斷器熔斷電流大于高壓接觸器允許斷開電流，則電流速斷保護(hù)需退出。過負(fù)荷保護(hù)。電動(dòng)機(jī)回路長時(shí)間過負(fù)荷運(yùn)行會(huì)引起電動(dòng)機(jī)定子過熱，并引起電機(jī)絕緣老化，甚至電機(jī)燒毀或發(fā)生嚴(yán)重短路，過負(fù)荷保護(hù)是電動(dòng)機(jī)回路的主保護(hù)之一，反映電動(dòng)機(jī)過負(fù)荷程度。當(dāng)電動(dòng)機(jī)在過負(fù)荷運(yùn)行時(shí)，由于回路電流較小，一般考慮由真空接觸器動(dòng)作進(jìn)行保護(hù)。過負(fù)荷保護(hù)的動(dòng)作時(shí)間要與電動(dòng)機(jī)允許的過負(fù)荷時(shí)間配合，一般情況下取電動(dòng)機(jī)的最長起動(dòng)時(shí)間。定制螺旋式熔斷器綜合保護(hù)裝置提供的過負(fù)荷保護(hù)均為反時(shí)限保護(hù)，曲線隨發(fā)熱時(shí)間常數(shù)及冷、熱態(tài)運(yùn)行情況不同上下變化。在曲線選擇時(shí)，除考慮電動(dòng)機(jī)的實(shí)際發(fā)熱常數(shù)和運(yùn)行工況外，尚應(yīng)考慮躲過電動(dòng)機(jī)起動(dòng)及所選曲線與熔斷器特性曲線交點(diǎn)對應(yīng)的電流值小于接觸器的額定開斷電流兩種情況。

多采用中性點(diǎn)不接地的運(yùn)行方式，在這種條件下使用阻容吸收器，由于相對地電容值增大，電容電流也將隨之大幅度增大，這時(shí)需重新考慮中性點(diǎn)接地的接地方式及零序保護(hù)的配置。當(dāng)火力發(fā)電廠單機(jī)容量為300MW及以上時(shí)，高壓廠用電系統(tǒng)的單相接地電容電流較大，多采用中性點(diǎn)經(jīng)低電阻接地的方式，相對于大得多的低電阻接地的阻性電流來說，阻容吸收器電容電流的影響就不那么大了。定制螺旋式熔斷器所以在高壓廠用電系統(tǒng)的中性點(diǎn)采用低電阻接地的接地方式的大容量機(jī)組中，采用阻容吸收器作為限制過電壓的措施在理論上已經(jīng)成為了一種可行的措施，但針對不同系統(tǒng)，其具體參數(shù)需要進(jìn)一步的運(yùn)行測試檢驗(yàn)。制過電壓的保護(hù)措施及過電壓保護(hù)裝置的選針對中性點(diǎn)低電阻接地系統(tǒng)，用于F-C回路的阻容過電壓吸收器可以采用不接地系統(tǒng)相同的電容值和電阻值，即可以取相間電容約為0.1~0.5F，相間電阻值約為100~500，相地電容約為0.2~1F，相地電阻值約為50~25002。由于南京螺旋式熔斷器單相接地故障時(shí)不存在相電壓升高為線電壓的問題，阻容過電壓吸收器宜采用星形接線方式，而不再是傳統(tǒng)上適用于中性點(diǎn)非接地系統(tǒng)的“三叉戟”型式。

采用氧化鋅過電壓限制器作為F-C回路的過電壓保護(hù)設(shè)備時(shí)可以考慮設(shè)置間隙。帶串聯(lián)間隙氧化鋅過電壓限制器解決了持續(xù)運(yùn)行電壓和荷電率過高而導(dǎo)致的閥片老化甚至爆炸的難題。帶串聯(lián)間隙氧化鋅過電壓限制器增加了氧化鋅閥片的持續(xù)運(yùn)行電壓的裕度，保證了限制器的工作壽命，殘壓較低，保護(hù)性能較好。定制螺旋式熔斷器F-C回路的過電壓與系統(tǒng)中性點(diǎn)接地方式密切相關(guān)，設(shè)計(jì)中應(yīng)區(qū)別對待不同的中性點(diǎn)接地方式選擇過電壓保護(hù)設(shè)備配置方式。對中性點(diǎn)經(jīng)低電阻接地的配電系統(tǒng)，過電壓保護(hù)器的相地及相間保護(hù)電壓分別按配電系統(tǒng)的相電壓和線電壓選擇，宜選用星形接線形式的三相過電壓保護(hù)器。對中性點(diǎn)不接地、經(jīng)消弧線圈接地或經(jīng)高電阻接地的配電系統(tǒng)，過電壓保護(hù)器的相地及相間保護(hù)電壓均按配電系統(tǒng)的線電壓選擇，當(dāng)前應(yīng)用比較廣泛的是“三叉戟”接線形式的三相過電壓保護(hù)器。所謂“三叉戟”接線形式，南京螺旋式熔斷器是指過電壓保護(hù)裝置由4個(gè)參數(shù)相同的保護(hù)器構(gòu)成，其中3個(gè)保護(hù)器分別與三相連接并形成星形接線，第4個(gè)保護(hù)器設(shè)置在星形接線的三相連接點(diǎn)與接地點(diǎn)之間，以保證各相之間以及相與地之間保護(hù)器配置的均衡。